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MMBT5551中文资料

MMBT5551图片

MMBT5551外观图

  • 大小：211.71KB
  • 厂家：TD
  • 描述：
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：160V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：200mV @ 5mA，50mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：80 @ 10mA，5V
  • 功率 - 最大：350mW
  • 频率 - 转换：100MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：MMBT5551FSTR

MMBT5551供应商

更新时间:2023-01-05 03:10:15
批量询价 所在地：全国北京上海深圳浙江江苏广东山东广州汕头陕西
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  • 供应商
  • 产品型号
  • 服务标识
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 说明
  • 询价
  • 深圳市金棕榈半导体有限公司

  • MMBT5551

    MMBT5551
  • 严选现货

    严选现货= 现货+好口碑+品质承诺

    带有此标记的料号：

    1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了2万保证金，经维库认证中心严格审查。

    2. 供应商承诺此料号是“现货” ，如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半)，投诉成立奖励您500元。

  • 2999999

  • CJ/长晶

  • SOT23/24+

  • 代理有售样品优势价格

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